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TK10A55D(STA4,Q,M) /
TK10A55D(STA4,Q,M)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):550V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):24nC

电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs:10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1200pF

电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds:25V

功率耗散(最大值):45W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):720 毫欧 @ 5A,10V

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220SIS

封装/外壳:TO-220-3 整包

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

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北京芯时代电子科技发展有限公司TK10A55D(STA4,Q,M)兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
13261242936
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深圳市辉华拓展电子有限公司TK10A55D(STA4,Q,M)深圳市福田区华富路1006号航都大厦11FG0755-83867989
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深圳市瑞浩芯科技有限公司TK10A55D(STA4,Q,M)深圳市福田区振兴西路华康大厦二栋614室0755-84877094
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TK10A55D(STA4,Q,M)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品50+:¥13.511+:¥8.8799
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10:¥14.2945
100:¥11.4469
500:¥10.0683