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TK10A80E,S4X /MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS
TK10A80E,S4X的规格信息
TK10A80E,S4X的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:700 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:46 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:50 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:DTMOSIV

高度:15 mm

长度:10 mm

系列:TK10A80E

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:Toshiba

下降时间:35 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:40 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:140 ns

典型接通延迟时间:80 ns

单位重量:6 g

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北京芯时代电子科技发展有限公司TK10A80E,S4X兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
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深圳市天卓伟业电子有限公司TK10A80E,S4X华强北路1019号华强广场A17楼0755-23480662
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深圳市壹芯创科技有限公司TK10A80E,S4X华匀大厦1栋2310755-82780082,0755-82796631
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朱先生,杨小姐Email:yixinchuang@foxmail.com询价
深圳市华琳达科技有限公司TK10A80E,S4X 其他连接器振华西路中国振华集团华康大厦2栋6050755-82725819
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胡SEmail:2282729905@qq.com询价
深圳盛兴电子科技有限公司TK10A80E,S4X(S华强电子3号(佳和)潮流前线负一楼1B1410755-83651664
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张先生Email:szyctdz@163.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司TK10A80E,S4X深圳市福田区振兴西路华康大厦二栋614室0755-84877094
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深圳市深创鑫科技有限公司TK10A80E,S4X深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05882767825,82578308
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Digi-Key 得捷电子
TK10A80E,S4XToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品1+:¥17.6
10+:¥15.8799
25+:¥14.18
100+:¥12.76
250+:¥11.3501
500+:¥9.93
1000+:¥8.23
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TK10A80E,S4XToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS$2.53000
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Mouser 贸泽电子
TK10A80E,S4XToshibaMOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS1:¥18.5998
10:¥14.9838
100:¥11.9893
500:¥10.5316
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Mouser 贸泽电子
TK10A80E,S4XToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品1+:¥17.6
10+:¥15.8799
25+:¥14.18
100+:¥12.76
250+:¥11.3501
500+:¥9.93
1000+:¥8.23
2500+:¥7.661+:¥14
10+:¥11.3501
100+:¥9.0299
500+:¥9.0299
1000+:¥8.3699
2500+:¥7.68
5000+:¥7.6
10000+:¥7.34
25000+:¥7.12