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TK10P60W,RVQ /MOSFET N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC
TK10P60W,RVQ的规格信息
TK10P60W,RVQ的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:9.7 A

Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.7 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:20 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:80 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

系列:TK10P60W

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.5 mm

商标:Toshiba

下降时间:5.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:22 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:75 ns

典型接通延迟时间:45 ns

单位重量:4 g

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北京芯时代电子科技发展有限公司TK10P60W,RVQ兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
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深圳市壹芯创科技有限公司TK10P60W,RVQ华匀大厦1栋2310755-82780082,0755-82796631
15875588575,13418647129
朱先生,杨小姐Email:yixinchuang@foxmail.com询价
深圳市楷兴电子科技有限公司TK10P60W,RVQ福田区上步工业区201栋5300755-83016042
18818587758
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深圳市毅创腾电子科技有限公司TK10P60W,RVQ深圳市福田区华强北街道荔村社区华联发大厦6层631室0755-83210801
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张先生Email:szyctdz@163.com询价
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万三科技(深圳)有限公司TK10P60W,RVQ(S深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-21006672
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TK10P60W,RVQToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC2000+:¥8.75
6000+:¥8.42
10000+:¥8.1
50000+:¥7.78
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TK10P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N CH 600V 9.7A DPAK$2.89000
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Mouser 贸泽电子
TK10P60W,RVQToshibaMOSFET N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC1:¥25.1312
10:¥22.7469
100:¥18.2834
500:¥14.2154
1,000:¥11.752
2,000:¥11.2209
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Mouser 贸泽电子
TK10P60W,RVQToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC2000+:¥8.75
6000+:¥8.42
10000+:¥8.1
50000+:¥7.781+:¥15.98
10+:¥12.84
100+:¥10.3501
500+:¥10.3501
1000+:¥9.61
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10000+:¥8.36
24000+:¥8.06